根據韓國媒體 ZDNET Korea 的報導，三星電子已經在第三季度決定調整其平澤園區 P4 產線第一期（Phase 1）的產能分配。這一調整將從原本專注於生產 NAND Flash 快閃記憶體，轉變為同時生產 NAND Flash 和 DRAM 的混合產線，以應對市場需求的變化。

根據韓國媒體 ZDNET Korea 的報導，三星電子已經在第三季度決定調整其平澤園區 P4 產線第一期（Phase 1）的產能分配。這一調整將從原本專注於生產 NAND Flash 快閃記憶體，轉變為同時生產 NAND Flash 和 DRAM 的混合產線，以應對市場需求的變化。

報導指出，這一產能改變可以從該產線的內部代號名稱更改中看出來。原本該產線被稱為 P4F，其中 “F” 代表 Flash 快閃記憶體。然而，現在的名稱已經改為 P4H，其中 “H” 是 Hybrid 混合的簡寫，這表明該產線將支援多種半導體產品的生產。

目前，平澤園區 P4 產線第一期已經部分進駐了 NAND Flash 快閃記憶體的生產設備。三星計劃到年底前將該產線的 NAND Flash 生產能力提升至每月 1 萬片晶圓。然而，由於市場的不確定性，到 2025 年中才有可能為 V9 QLC NAND 先進產品的進一步投資規劃。

在 DRAM 生產方面，平澤園區 P4 產線第一期未來有望具備每月 3~4 萬片晶圓的產能。這些 DRAM 將採用三星目前最為先進的 10 奈米級 1a、1b 製程技術，以應對競爭對手的產能擴張，並在三星內部其他 DRAM 產線技術升級之際，持續保持對市場的充足供應。

根據規劃，三星的平澤園區 P4 產線總共包含四期建置計畫，其中三期 DRAM 產線即將開建，而第二期晶圓代工產線則在先前的決定中進一步暫緩投資。

這一調整顯示了三星對市場需求變化的靈活應對，並且在技術和產能擴張方面保持領先地位。