美國總統拜登政府於10月31日宣布，將投資約8億2,500萬美元（約新台幣263億元）在紐約州首府阿爾巴尼（Albany）打造半導體研發旗艦設施。這項投資旨在推動極紫外光（EUV）技術的創新，並將阿爾巴尼奈米科技綜合園區（Albany NanoTech Complex）選定為研究尖端半導體科技極紫外光曝光機的國家總部。

美國總統拜登政府於10月31日宣布，將投資約8億2,500萬美元（約新台幣263億元）在紐約州首府阿爾巴尼（Albany）打造半導體研發旗艦設施。這項投資旨在推動極紫外光（EUV）技術的創新，並將阿爾巴尼奈米科技綜合園區（Albany NanoTech Complex）選定為研究尖端半導體科技極紫外光曝光機的國家總部。

美國商務部與美國國家半導體技術中心（National Semiconductor Technology Center）的營運商Natcast發布聯合聲明指出，這座設施有望推動極紫外光（EUV）技術的創新。聯邦參議院多數黨領袖舒默（Chuck Schumer）表示，這座實驗室將擁有全球最先進的晶片製造設備，並允許半導體產業和大學的研究人員在這裡展開合作。

舒默在接受電話訪問時強調，這項高階研究不僅能製造出全球最先進的晶片，還能確保美國的軍隊掌握優勢，並確保美國的經濟與企業處於領先地位。這座隸屬於國家半導體技術中心的極紫外光中心預計將於明年啟用，舒默指出，這將使紐約州北部成為半導體研究中心，不僅對美國，對全世界而言也是如此。

此外，商務部尚未宣布另外兩座國家技術中心將落腳何處。這項投資計劃顯示了美國政府對半導體技術研發的重視，並期望透過這些設施的建設，提升美國在全球半導體產業中的競爭力。