三星電子在2024年第三季財報中顯示，負責半導體業務的DS部門獲利金額較第二季下滑了40%，這一結果未達市場預期。為了應對這一挑戰，三星計劃在2025年專注於第六代高頻寬記憶體（HBM4）的開發和先進製程，特別是量產2奈米製程，以滿足市場需求。

三星電子在2024年第三季財報中顯示，負責半導體業務的DS部門獲利金額較第二季下滑了40%，這一結果未達市場預期。為了應對這一挑戰，三星計劃在2025年專注於第六代高頻寬記憶體（HBM4）的開發和先進製程，特別是量產2奈米製程，以滿足市場需求。

具體來看，三星半導體DS部門在第三季的營收為29.17兆韓圜，營業利益為3.86兆韓圜，相較於第二季的6.45兆韓圜大幅下跌超過40%。為了改善這一情況，三星計劃重點擴大DS部門高價值產品的銷售，並確保技術領先地位。

在DRAM方面，三星計劃繼續擴大HBM的銷售，並加速DDR5第五代10奈米DRAM（1b製程）的發展，以積極應對市場對32Gb DDR5大容量伺服器記憶體的需求。在NAND Flash方面，三星也計劃擴大採用第八代V-NAND的PCIe 5.0銷售，並量產大容量QLC產品以鞏固市場地位。

系統半導體部分，System LSI計劃擴大Exynos 2400的供應，並擴大對OLED的DDI顯示驅動晶片支援。在晶圓代工業務方面，三星計劃擴大各種應用以提高生產能力，並確保2奈米GAA製程的量產，以滿足客戶需求。

對於2025年的預測，三星計劃專注於構建有利可圖的產品組合，特別是先進製程產品如HBM和伺服器SSD等。在記憶體方面，三星計劃積極擴大HBM3E的銷售量，並在下半年量產HBM4。此外，三星還計劃積極擴大高階產品的銷售，如伺服器用128GB或更大的DDR5，以及行動、PC和伺服器用的LPDDR5X等。這些產品將開始向第八代V-NAND製程轉移，並積極回應基於QLC的大容量需求。

System LSI方面，三星將專注於為主要客戶的旗艦產品供應SoC，同時也專注於下一代2奈米的發展。這一系列策略將有助於三星在半導體市場中保持競爭力，並應對未來的市場挑戰。